IP开发商円星科技使用28纳米嵌入式闪存技术,第3季度提供使用

IP开发商円星科技(M31)宣布,将在台积电28纳米嵌入式闪存存储器制程技术(TSMC 28nm Embedded Flash Process) 开发SRAM Compiler IP,此系列IP预计于今年第3季提供客户设计整合使用。

円星董事长林孝平表示,随网络传输频宽不断加大,数据运算与储存需求日增。円星在台积电领先业界的28纳米嵌入式闪存制程开发的IP,除了可缩短设计周期,还能降低SoC功耗并提高效能,可广泛应用于高速的数据处理、电源管理,物联网、车用电子,以及移动通讯等产品的设计上。

台积电设计建构行销事业处资深处长Suk Lee则说,嵌入式闪存存储器技术对于支持智能行动,汽车电子和物联网等广泛应用至关重要。凭借M31与台积电28纳米嵌入式闪存制程技术努力合作开发的IP,将有助于设计人员优化SoC,实现速度,面积和功耗之间的成功平衡。

此次円星科技以台积电28纳米嵌入式闪存存储器制程技术开发的SRAM Compiler IP功能齐全,支援多种节能模式,使用者可依据不同操作状态,切换到当下最佳省电模式,来延长行动元件电池的使用时间,以提供客户更多元的产品运用。基于优异的技术特性,此系列IP可以完全整合在嵌入式闪存存储器制程平台上,预计今年第3季提供知名国际大厂采用。

去年円星也曾发布与台积电合作布局22纳米ULP/ULL技术的全系列IP。据当时円星提供资料,台积电22纳米ULP/ULL技术为28纳米技术优化版本,具有低功耗/低漏电和高效能的优势,同时保持高度的成本效益。

円星当时提到,与28HPC+技术相比,台积电22纳米ULP/ULL技术可在相同的运行速度下减少约5%至10%的芯片面积,降低功耗约25%,或在相同功耗下提高15%的效能。此制程技术下开发产品应用将涵盖物联网、GPS、RF、5G等等。